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V1
i1
V2
i2
1
1'
2
2'
vv
vv
vv
VCC_CIRCLE
hi
hfi1
1
2
+
hrV2
1
2
1/ho
ID
-
+
Vg0
MOSFETの電流計算理論
VGS
Hパラメータは
元々バイポーラ・
トランジスタ接合理論
にあわせたから
MOSでは意味が薄い
とりあえずgmで
ドレイン電流を計算し、
Z,Yパラメータを使って
電流、電圧の計算をする。
gmvg0
V1=(rg+1/jωCgs)i1
i2= gm vg0+ ho ・V2
ここで、
vg0=VGS−VT
=(1/jωCgs)・i1
rg
Cgs
低周波では問題がない!!
μs: チャネル内の電子移動度, VT;閾値電圧
Cox: 単位ゲート容量;W/L:ゲート幅/ゲート長
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