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携帯電話で使うRF回路(LNA:低雑音増幅器)
のゲイン(GHz帯のRFの電子回路理論)
Zin=Rs
Rs
Vo
Vi
Vo
小信号交流電圧ゲインはViとVoの比
マッチング
Rin= 0 Ω
Rs
Vi
げ
ゲートとドレイン間の
寄生容量を無視
ゲインは大
2GHz以上
では雑音
指数が最小
ゲイン大と雑音指数小の両方を
満足する最適設計をする
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